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結型場效應管-詳解結型場效應管結構、分類及工作原理-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-07-03 

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結型場效應管

結型場效應管結構與符號

結型場效應管的結構如下圖所示,在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P+區,就形成兩個不對稱的P+N結,即耗盡層。把兩 個P+區并聯在一起,引出一個電極g,稱為柵極,在N型半導體的兩端各引出一個電極,分別稱為源極s和漏極d。它們分別與三極管的基極b、發射極e和集電極c相對應。夾在兩個P+N結中間的N區是電流的通道,稱為導電溝道(簡稱溝道)。這種結構的管子稱為N溝道和P溝道結型場效應管,它在電路中用下圖所示的符號表示,柵極上的箭頭表示柵-源極間的P+N結正向偏置時,柵極電流的方向(由P區指向N區)。

結型場效應管



N溝道和P溝道結型場效應管的工作原理

N溝道和P溝道結型場效應管工作原理完全相同,現以N溝道結型場效應管為例,分析其工作原理。N溝道結型場效應管工作時,需要外加如圖1所示的偏置電壓(鼠標單擊圖1中“結型場效應管的工作原理”),即在柵-源極間加一負電壓(vGS<0),使柵-源極間的P+N結反偏,柵極電流iG≈0,場效應管呈現很高的輸入電阻(高達108W左右)。在漏-源極間加一正電壓 (vDS>0),使N溝道中的多數載流子電子在電場作用下由源極向漏極作漂移運動,形成漏極電流iD。iD的大小主要受柵-源電壓vGS控制,同時也受漏 -源電壓vDS的影響。因此,討論場效應管的工作原理就是討論柵-源電壓vGS對溝道電阻及漏極電流iD的控制作用,以及漏-源電壓vDS對漏極電流iD 的影響。

結型場效應管



(1)柵極電壓VGS對iD的控制作用

為便于討論,先假設漏-源極間所加的電壓vDS=0。當柵-源電壓vGS=0時,溝道較寬,其電阻較小,如圖1(a)所示。當vGS<0,且其大小增加時,在這個反偏電壓的作用下,兩個P+N結耗盡層將加寬。由于N區摻雜濃度小于P+區,因此,隨著|vGS| 的增加,耗盡層將主要向N溝道中擴展,使溝道變窄,溝道電阻增大,如圖1(b)所示。當|vGS|進一步增大到一定值|VP| 時,兩側的耗盡層將在溝道中央合攏,溝道全部被夾斷,如圖1(c)所示。由于耗盡層中沒有載流子,因此這時漏-源極間的電阻將趨于無窮大,即使加上一定的 電壓vDS,漏極電流iD也將為零。這時的柵-源電壓稱為夾斷電壓,用VP表示。上述分析表明,改變柵源電壓vGS的大小,可以有效地控制溝道電阻的大小。若同時在漏源-極間加上固定的正向電壓vDS,則漏極電流iD將受vGS的控制,|vGS|增大時,溝道電阻增大,iD減小。上述效應也可以看作是柵 -源極間的偏置電壓在溝道兩邊建立了電場,電場強度的大小控制了溝道的寬度,即控制了溝道電阻的大小,從而控制了漏極電流iD的大小。


結型場效應管




(2)漏電電壓VDS對iD的影響

設vGS值固定,且VP

隨著vDS的進一步增加,靠近漏極一端的P+N結上承受的反向電壓增大,這里的耗盡層相應變寬,溝道電阻相應增加,iD隨vDS上升的速度趨緩。當vDS增加到vDS=vGS-VP,即vGD=vGS -vDS=VP(夾斷電壓)時,漏極附近的耗盡層即在A點處合攏,如圖2(b)所示,這種狀態稱為預夾斷。與前面講過的整個溝道全被夾斷不同,預夾斷后,漏極電流iD≠0。因為這時溝道仍然存在,溝道內的電場仍能使多數載流子(電子)作漂移運動,并被強電場拉向漏極。若vDS繼續增加,使 vDS>vGS-VP,即vGD<VP時,耗盡層合攏部分會有增加,即自A點向源極方向延伸,如圖2(c),夾斷區的電阻越來越大,但漏極電流iD卻基本 上趨于飽和,iD不隨vDS的增加而增加。因為這時夾斷區電阻很大,vDS的增加量主要降落在夾斷區電阻上,溝道電場強度增加不多,因而iD基本不變。但 當vDS增加到大于某一極限值(用V(BR)DS表示)后,漏極一端P+N結上反向電壓將使P+N結發生雪崩擊穿,iD會急劇增加,正常工作時vDS不能超過V(BR)DS。



結型場效應管



(3)從結型場效應管正常工作時的原理可知:

① 結型場效應管柵極與溝道之間的P+N結是反向偏置的,因此,柵極電流iG≈0,輸入阻抗很高。

② 漏極電流受柵-源電壓vGS控制,所以場效應管是電壓控制電流器件。

③ 預夾斷前,即vDS較小時,iD與vDS間基本呈線性關系;預夾斷后,iD趨于飽和。P溝道結型場效應管工作時,電源的極性與N溝道結型場效應管的電源極性相反。


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