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MOS管工作原理視頻-MOS管工作原理高清視頻-在線觀看-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-06-22 

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MOS管工作原理視頻


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金屬氧化物半導體場效應晶體管,有增強型跟耗盡型的區分,但是由于本人沒見過耗盡型的mos管,所以直接忽略,需要可自行查閱這兩者的區分。


MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。


MOS管工作原理視頻參數

1.開啟電壓VT

開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;

備注:這是設計時候比較重要的值,一般開啟電壓是個范圍,我們要盡量保證電壓大于這個范圍。(后續會推出一個實例)


2. 漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0(增強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個方面:

(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

(2)漏源極間的穿通擊穿

有些MOS管中,其溝道長度較短,不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通,穿通后,源區中的多數載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達漏區,產生大的ID


3. 柵源擊穿電壓BVGS

在增加柵源電壓過程中,使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS,稱為柵源擊穿電壓BVGS。

備注:我們所加的Vgs不能大于 BVGS


4. 低頻跨導gm

在VDS為某一固定數值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力


5. 導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數

在飽和區,ID幾乎不隨VDS改變,RON的數值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數字電路中 ,MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下,所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

對一般的MOS管而言,RON的數值在幾百歐以內

備注:此值在PWM開關管中尤為重要,會影響較多參數,一般mos管的發熱也跟該參數有較大關系。


6. 極間電容

三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容Cgs 、柵漏電容Cgd和漏源電容Cds


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