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mos擊穿,mos管擊穿的原因及解決方法-分析大全

信息來源:本站 日期:2017-10-27 

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關于穿通擊穿,有以下一些特征:

(1)穿通擊穿的擊穿點軟,擊穿過程中,電流有逐漸增大的特征,這是因為耗盡層擴展較寬,發生電流較大。另一方面,耗盡層展廣大容易發生DIBL效應,使源襯底結正偏呈現電流逐漸增大的特征。

(2)穿通擊穿的軟擊穿點發生在源漏的耗盡層相接時,此刻源端的載流子注入到耗盡層中, 被耗盡層中的電場加快到達漏端,因此,穿通擊穿的電流也有急劇增大點,這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同,這時的電流相當于源襯底PN結正向導通時的電流,而雪崩擊穿時的電流主要為PN結反向擊穿時的雪崩電流,如不作限流,雪崩擊穿的電流要大。

(3)穿通擊穿一般不會呈現破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強沒有到達雪崩擊穿的場強,不會發生許多電子空穴對。

(4)穿通擊穿一般發生在溝道體內,溝道外表不容易發生穿通,這主要是因為溝道注入使外表濃度比濃度大構成,所以,對NMOS管一般都有防穿通注入。

(5)一般的,鳥嘴邊際的濃度比溝道中心濃度大,所以穿通擊穿一般發生在溝道中心。

(6)多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的,跟著柵長度添加,擊穿增大。而對雪崩擊穿,嚴格來說也有影響,可是沒有那么明顯。

MOS管被擊穿的原因及解決方案如下:

第一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又十分小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,而少數電荷就可在極間電容上構成相當高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。盡管MOS輸入端有抗靜電的維護措施,但仍需當心對待,在存儲和運送中最好用金屬容器或許導電資料包裝,不要放在易發生靜電高壓的化工資料或化纖織物中。拼裝、調試時,東西、外表、工作臺等均應杰出接地。要避免操作人員的靜電攪擾構成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或東西在觸摸集成塊前最好先接一下地。對器材引線矯直曲折或人工焊接時,運用的設備有必要杰出接地。

第二、MOS電路輸入端的維護二極管,其導通時電流容限一般為1mA 在可能呈現過大瞬態輸入電流(超越10mA)時,應串接輸入維護電阻。而129#在初期設計時沒有參加維護電阻,所以這也是MOS管可能擊穿的原因,而經過替換一個內部有維護電阻的MOS管應可避免此種失效的發生。還有因為維護電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使維護電路失去效果。所以焊接時電烙鐵有必要可靠接地,以防漏電擊穿器材輸入端,一般運用時,可斷電后使用電烙鐵的余熱進行焊接,并先焊其接地管腳。

MOS是電壓驅動元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部攪擾使MOS導通,外部攪擾信號對G-S結電容充電,這個細小的電荷能夠貯存很長時刻。在實驗中G懸空很風險,許多就因為這樣爆管,G接個下拉電阻對地,旁路攪擾信號就不會直通了,一般能夠10~20K。

這個電阻稱為柵極電阻。效果1:為場效應管供給偏置電壓;效果2:起到瀉放電阻的效果(維護柵極G~源極S)。榜首個效果好了解,這兒解釋一下第二個效果的原理:維護柵極G~源極S:場效應管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少數的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩頭發生很高的電壓,如果不及時把這些少數的靜電瀉放掉,他兩頭的高壓就有可能使場效應管發生誤動作,甚至有可能擊穿其G-S極;這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,然后起到了維護場效應管的效果。