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mos管 mos管電壓如何正確選擇步驟-重點分析

信息來源:本站 日期:2017-10-23 

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mos管電壓

常遇到MOS管Vgs電壓過大會損壞管子,但是從原理上看,似乎不然呀?

當vGS數值較小,吸收電子的才能不強時,漏——源極之間仍無導電溝道呈現,vGS增加時,吸收到P襯底外表層的電子就增加,當vGS到達某一數值 時,這些電子在柵極左近的P襯底外表便構成一個N型薄層,且與兩個N+區相連通,在漏——源極間構成N型導電溝道,其導電類型與P襯底相反,構成反型層。

vGS越大,作用于半導體外表的電場就越強,吸收到P襯底外表的電子就越多,導電溝道越厚,溝道電阻越小。

即N溝道MOS管在vGS<VT時,不能構成導電溝道,管子處于截止狀態。

只要當vGS≥VT時,才有溝道構成。溝道構成以后,在漏——源極間加上正向電壓vDS,就有漏極電流產生。

但是Vgs繼續加大,比方IRFPS40N60K

Vgs=100V時

Vds=0和Vds=400V,兩種狀況下,對管子功用帶來什么影響,若燒壞,緣由和內部機理過程是怎樣的呢?

Vgs增大會減小Rds(on)減小開關損耗,但是同時會增大Qg,使得開啟損耗變大,影響效率

1)MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs 充電而上升,抵達維持電壓Vth,MOSFET 開端導電;

2)MOSFET 的DS 電流增加,Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電,對GS 電容的充電影響不大;

Qg=Cgs*Vgs, 但是電荷會持續積聚。

3)MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓,Millier 電容大大增加,外部驅動電壓對Millier 電容停止充電,GS 電容的電壓不變,Millier 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減??;

4)MOSFET 的DS 電壓降至飽和導通時的電壓,Millier 電容變小并和GS 電容一同由外部驅動電壓充電,GS 電容的電壓上升;

電壓測量

N溝道的有國產的3D01,4D01,日產的3SK系列。G極(柵極)的確定:利用萬用表的二極管檔。若某腳與其他兩腳間的正反壓降均大于2V,即顯示“1”,此腳即為柵極G。再交換表筆測量其余兩腳,壓降小的那次中,黑表筆接的是D極(漏極),紅表筆接的是S極(源極)。 


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