<acronym id="c2ms0"><center id="c2ms0"></center></acronym>
<sup id="c2ms0"></sup>
<acronym id="c2ms0"></acronym>
<acronym id="c2ms0"><center id="c2ms0"></center></acronym><sup id="c2ms0"></sup>
<acronym id="c2ms0"><center id="c2ms0"></center></acronym><acronym id="c2ms0"><small id="c2ms0"></small></acronym>
<acronym id="c2ms0"><div id="c2ms0"></div></acronym>
廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

雪崩,雪崩二極管內置,器件,靜電毀壞原因等-漲知識必讀

信息來源:本站 日期:2017-09-29 

分享到:

雪崩二極管

第一種:雪崩毀壞

假如在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且到達擊穿電壓V(BR)DSS (依據擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發作毀壞的現象。在介質負載的開關運轉斷開時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而招致毀壞的形式會惹起雪崩毀壞。典型電路:
雪崩二極管
雪崩二極管

第二種:器件發熱損壞

由超出安全區域惹起發熱而招致的。發熱的緣由分為直流功率和瞬態功率兩種。直流功率緣由:外加直流功率而招致的損耗惹起的發熱
●導通電阻RDS(on)損耗(高溫時RDS(on)增大,招致一定電流下,功耗增加)
●由漏電流IDSS惹起的損耗(和其他損耗相比極?。┧矐B功率緣由:外加單觸發脈沖
●負載短路
●開關損耗(接通、斷開) *(與溫度和工作頻率是相關的)
●內置二極管的trr損耗(上下橋臂短路損耗)(與溫度和工作頻率是相關的)器件正常運轉時不發作的負載短路等惹起的過電流,形成瞬時部分發熱而招致毀壞。
另外,由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時,持續的發熱使溫度超出溝道溫度招致熱擊穿的毀壞。
雪崩二極管
雪崩二極管


第三種:內置二極管毀壞

在DS端間構成的寄生二極管運轉時,由于在Flyback時功率MOSFET的寄生雙極晶體管運轉,招致此二極管毀壞的形式。


雪崩二極管
雪崩二極管


第四種:由寄生振蕩導致的毀壞

此毀壞方式在并聯時特別容易發作在并聯功率MOSFET時未插入柵極電阻而直接銜接時發作的柵極寄生振蕩。高速重復接通、斷開漏極-源極電壓時,在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg構成的諧振電路上發作此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時,在柵極-源極間外加遠遠大于驅動電壓Vgs(in)的振動電壓,由于超出柵極-源極間額定電壓招致柵極毀壞,或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓經過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形堆疊招致正向反應,因而可能會由于誤動作惹起振蕩毀壞。
雪崩二極管
雪崩二極管



第五種:柵極電涌、靜電毀壞

主要有因在柵極和源極之間假如存在電壓浪涌和靜電而惹起的毀壞,即柵極過電壓毀壞和由上電狀態中靜電在GS兩端(包括裝置和和測定設備的帶電)而招致的柵極毀壞。
雪崩二極管
雪崩二極管
雪崩二極管


聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

長按二維碼識別關注