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mos串聯是為理解決電壓規格不夠的問題,與VMOS的并聯相似的

信息來源:本站 日期:2017-08-29 

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VMOS的串聯

串聯(SeriesConnection)是為理解決電壓規格不夠的問題,與VMOS的并聯相似,我們這里所說的電壓規格不夠用,指的是即使是采用多管電路拓撲也難以滿足需求時,如全橋、三相全橋等電路拓撲。與VMOS并聯稍有不同的是,多電平變換應該優先于多管(模塊)的串聯應用。

在買踐應用上,串聯與并聯一樣會明顯降低功率開關的外關速度,使之適用的工作頻率明顯降低,以致于降低到IGBT也可以足以順應的程度;同時高電壓規格的VMOS的飽和壓降會明顯升高,高于1000V時曾經與IGBT相差無幾,到2000V左右時,IGBT在本身功耗方面曾經有了優勢。

因而,在工程應用上,VMOS的串聯應用并不多見,需求更高的電壓規格時,1GBT更有優勢,目前的單管產品,VMOS產品適用的最高電壓根本上還彷徨在1000V左右,而IGBT產品適用的最高電壓規格,單管曾經到達了2500~3300V,模塊產品曾經到達了4500一6500V的程度。


除非是必需采用VMOS,同時又必需采用很高電源電壓時,才會用到VMOS的串聯,即使遇到這樣的問題,串聯也并不是首選的計劃,特別是用于工業化產品,首選的計劃應該是尋覓替代計劃,如采用IGBT、基于VMOS的多電平變換等等。

萬不得已采用VMOS串聯時,首要的問題是驅動的隔離,除了信號通道需求隔離外,電源也需求隔離。

其次是均壓,與VMOS并聯時的均流相似,均壓是為了讓串聯的每一個功率開關接受近似相等的電壓,假如誤差比擬大,就需求增加串聯的功率開關的數量,增大電壓耐受量的裕量。換言之,兩個1000V電壓規格的VMOS串聯,理論上能夠視為2000V電壓規格的VMOS,為了保險起見,我們能夠將其電壓規格定為isoov以至更低。這樣做的弊端是,串聯功率開關的本身功耗將明顯增加,緣由是我們為了取得2000V電壓規格的功率開關,本來兩個串聯就能夠了,如今為了增加保險系數,就需求3個串聯。


串聯需求思索的要素與并聯大同小異,額外需求思索的要素是突波吸收電路的參數需求停止挑選,由于它們還同時擔當著動態均壓的任務。所謂動態均壓,就是功率開關高速開關條件下的均壓,與此相對應,功率開關出于穩定關斷狀態時的均壓通常稱為靜態均壓,普通用電阻來完成。

由于VMOS的串聯很少有實踐應用,這里只給出一個2管串聯的表示圖(圖5.88)。至于信號隔離器件的選擇,視開關速度和隔離電壓的上下而定,光耦有利于進步開關速度,變壓器有利于進步隔離電壓等級并且高壓側的驅動局部能夠自供電,但是主要適用于低速應用。

mos管



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