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MOS晶體管的源極與基底等電位、MOS小信號等效電路解析

信息來源:本站 日期:2017-08-23 

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源區與基底等電位時

MOS晶體管的源極與基底等電位,由于Ubs=0,所以小信號等效電路能夠簡化成圖2.4那樣。由于漏極電導的倒數就是輸出電阻ro,所以能夠表示為ro=l/gd。輸出電阻ro也好,漏極電導gd也好,它們經常呈現在小信號解析中。


圖2.2和圖2,4所示的小信號等效電路不只適用于NMOS晶體管,也適用于PMOS晶體管。但是需求留意的是,這個小信號等效電路中,當小信號電壓Vgs增加時,小信號電流id增加的方向是從漏極指向源極的方向。所以關于PMOS的小信號等效電路,運用圖2.5和圖2.6所示的電路停止闡明。圖2.5和圖2.6中,當Vsg(或者Vsb)增加時,從源極流向漏極的小信號電流id增加。


MOS晶體管中存在寄生電容。思索到寄生電容的MOS晶體管的等效電路如圖2.7所示。在討論高頻特性時,運用這種加上了電容成分的模型,這也使人工計算停止解析變得復雜。在SPICE之類的電路模仿中,運用含有這些寄生電容成分的器件模型停止計算。

mos管
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