<var id="d3hfx"></var><var id="d3hfx"></var>
<var id="d3hfx"></var>
<var id="d3hfx"></var>
<var id="d3hfx"></var>
<cite id="d3hfx"></cite>
<var id="d3hfx"><strike id="d3hfx"><listing id="d3hfx"></listing></strike></var>
<var id="d3hfx"></var>
<cite id="d3hfx"><video id="d3hfx"><menuitem id="d3hfx"></menuitem></video></cite><var id="d3hfx"></var>
<menuitem id="d3hfx"><strike id="d3hfx"></strike></menuitem><var id="d3hfx"></var>
廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

mos管模型及三個小信號參數

信息來源:本站 日期:2017-08-18 

分享到:


小信號等效電路


  模仿電路解析包括直流解析和交流小信號解析。這里導入小信號解析時所需要的小信號等效電路。小信號等效電路模型是使計算簡單化的線性模型。


三個小信號參數gm、gmb、go


  如前所述,模仿電路是在MOS晶體管器件的飽和區停止工作的。飽和區中,MOS晶體管的ID-VGS特性是ID∝ (VGS_VT)2,ID與Gs之間不是線性關系。但是,如圖2.1所示,在微小電壓νgs與微小電流id之間能夠看作線性關系近似認為id∝ νgs。

mos管

  圖2.2示出MOS晶體管的低頻小信號等效電路。這里運用的小信號參數gm、gmb、go定義如下(單位都是西[門子],S)。

  (1)跨導(transconductance) gm:

mos管

(2)體跨導(bulk  transconductance)gmb:

mos管

mos管

(3)漏極電導(grain conductance)go:
mos管

  跨導gm表示圖2.1中示出的微小區域中直線的斜率。漏極電導go表示圖2.3中示出的ID-VDS特性的斜率,go=1/ro(ro是輸出電阻)。

mos管