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解析CMOS器件特性與電源電壓、溫度和特征等 KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2017-08-14 

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CMOS器件的電學特性

MOS器件的特性受電源電壓和環境溫度的影響,不過由于構成CMOS的p溝、n溝晶體管受影響發作變化的狀況相同,其結果在特性方面有時簡直沒有變化。例如,輸入輸出電壓特性受溫度的影響很小,而且即便電源電壓變化,低電平/高電平輸入電壓與電源電壓之比(例如,VIH=0.7XVDD,VIL=0.3VDD)不怎樣變化。這是它的特性。動態工作時耗費電流(FIN-IDD)的特性主要受等效內部電容(CPD)支配,也不怎樣受電源電壓和溫度的影響。

關于CMOS器件特性與電源電壓、溫度的依賴關系,表13.1和表13.2分別列出DC特性和AC特性。思索到器件的電學特性隨環境溫度的變化,在電子設備的電路設計中,必需留有足夠的設計余量。

以CMOS規范邏輯中的門IC(2輸入ANAND門(TC74VHCOOF))例,圖13.1、圖13.2分別示出它們典型的DC特性和AC特性。在與電源電壓關系親密的耐壓、漏電流有關特性、傳輸延遲時間特性等方面,用Log標度表示。


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