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MOS晶體管的源極與基底是等電位 n溝MOS晶體管加偏置電壓會發生什么狀況

信息來源:本站 日期:2017-08-10 

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當源極-基底間加偏置時,閾值電壓變化

在很多,隋況下,MOS晶體管的源極與基底是等電位的。其結果,使圖1.31中基底(襯底或者阱)與溝道間的pn結處于零偏置。當源極—基底間加反向(或者正向)偏置電壓VSB時,MOS晶體管的閾值電壓就會發作變化。
mos管

如今討論圖1. 32示出的n溝MOS晶體管加偏置電壓(VSB>O)時的狀況。

反向偏置電壓VSB會使溝道下的耗盡層擴展。由于耗盡層的擴展,耗盡層的負電離子數增加,而溝道區的電子數目相應地減少,使得與多晶硅柵中的正電荷堅持均衡。由于溝道區電子數目的減少,招致溝道的厚度變薄。

為了使溝道恢復到原來的厚度,必需加更大的柵極—源極間電壓YGS。其結果,這個反向偏置電壓Vs。招致了閾值電壓的上升。

這種由于源極—基底間電壓VSB招致閾值電壓發作變化的現象,稱為襯底偏置效應(body effect)或者背柵效應(back-gate effect)。


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