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MOS器件的低電壓低規格趨勢|材料新應用的方法

信息來源:本站 日期:2017-08-07 

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低電壓規格趨向

如今曾經很少有制造商推出新型號的高壓VMOS(1000V以上),市場上的新品的電壓規格根本上集中在500一600V程度。主要的緣由是,低電壓規格的VMOS,在功耗方面具有明顯的優勢,而且電壓規格越低,這個優勢越明顯。電壓規格低于100V以后,VMOS的低功耗優勢簡直是決議性的。其次是IGBT的開展,可以順應150kHz硬開關的產品曾經上市,而且IGBT在高電壓規格和大功率規格方面有著明顯的優勢。


不過,在電壓規格方而,(KIA)VMOS也不是完整沒有建樹,豐要開展是新型半導體資料的應用,典型的例了是SiC,相似的開展也表現在IGBT方面。目前實用化的應用是用基于肖特基勢壘的肖特基二極管替代傳統的體二極管,除了有利于降低VMOS的續流功耗,重要的是,可以進步其抵御“雪崩能量”的才能。關于雪崩能量的問題,相關的闡明在本書的第3章。
同樣從SiC資料受益的還有功率VFET,并且不局限于體二極管的產品也曾經面世,電壓規格可達1700V,只是目前的產量和跟進的制造商不多,市場前景還有待察看。


SiC資料的應用,除了在電壓規格方面可以有所打破;在低壓產品中也是大有可為,那就是明顯進步器件的適用開關頻率(圖1. 48)。當然,新型半導體的應用,并不儀儀限于SiC,曾經開端應用的新型半導體新資料還有GaN、GaAs等。

mos管


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