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雙柵mos管場效應管及基本特征

信息來源:本站 日期:2017-07-27 

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DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個柵極的四端器件,兩個MOS管柵極都可以對溝道進行控制,目的是為了控制的便利性與獨立性,尤其是有兩個控制量的時候,就像一個水池裝兩個水龍頭,可以更加方便地控制流量。

雙柵極MOSFET大都是小功率產品,主要用于無線電接收機的混頻級,兩個柵極分別進行增益控制(高頻放大)和混頻(本振輸入)或者變頻(頻率變換)。

因為有兩個柵極,普通MSOFET的溝道長度就顯得有些短,FinFET(雙翼柵FET)就是專門針對雙柵極MOSFET而設計了比較長的溝道(圖1.27)。

為了進一步減少兩個柵極之間相互的干擾,PSDG(Planar Split Dual Gate,平面分離柵)MOSFET成運而生,在加長溝道的基礎上,兩個柵極之間增加廠隔離區(帶),很像兩個共用源極和漏極的MOSFET。

因此,雖然DGMOSFET、FinFFT、PSDG MOSFET在概念和具體工藝結構上均有區別,不過在工程實踐上,區別并不大,新型產品以PSDG MOSFET居多。在概念范疇上,DGMOSFET可以視為FinFET、PSDG MOSFET的統稱:,



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