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n溝道和p溝道增強型mos管的工作原理 場效應mos管

信息來源:本站 日期:2017-07-17 

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N溝道增強型MOS管

1.構造

絕緣柵型場效應管的構造表示圖如圖2-34所示。

2.N溝道增強型MOSFET

1)N溝道增強型MOSFET的導電溝道的構成

N溝道加強型MOSFET的溝道構成及符號如圖2-35所示,其中圖2-35 (a)所示是在一塊雜質濃度較低的P型半導體襯底上制造兩個高濃度的N型區,并分別將它們作為源極s和漏極D,然后在襯底的外表制造一層Si02絕緣層,并在上面引出一個電極作為柵極G。圖2-35(b)所示是其在電路中的符號。

2)N溝道加強型MOSFET的特性曲線

轉移特性曲線

N溝道加強型MOSFET的轉移特性曲線如圖2-36所示。

式中,UT為開啟電壓(或閾值電壓);μn為溝道電子運動的遷移率;Cox為巾位面積柵極電容;W為溝道寬度;疋為溝道長度;W/L為MOSFET的寬長比。在MOSFET集成電路設計中,寬長比是一個極為重要的參數。

輸出特性曲線

N溝道MOS管的輸出特性曲線如圖2-37所示。與結型場效應管的輸出特性相似,它也分為恒流區、叮變電阻區、截止區和擊穿區。其特性如下所示。

①截止區:UGS≤UT,導電溝道未構成,iD=0。

②恒流區:

·曲線距離平均,UGS對iP的控制才能強;

·UDS對iD的控制才能弱,曲線平整;

·進入恒流區的條件,即預災斷條件為UDS≥UCS-UT。

③可變電阻區:

可變電阻區的電流方程為

因而,可變電阻區的輸出電阻rDS為


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