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場效應管的基礎知識,命名方法,參數

信息來源:本站 日期:2017-07-07 

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場效應管場效應管是應用電場效應來控制電流變化的放大元件。它與晶體管相比,具有輸入阻高、噪聲低、熱穩定性好等優點,因此得到了疾速開展與應用。場效應管與晶體管同為放器件,但工作原理不同:晶體管是電流控制器件,在一定條件下,其集電極電流受基極電控制;而場效應管是電壓控制器件,電了電流受柵極電壓控制。

場效應管的基本知識
定義

場效應晶體管簡稱場效應管。它由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高,噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成,沒有二次擊穿現象、平安工作區域寬等優點。在開關電源中常用的是金屬—氧化物—半導體場效應管MOSFET(MetalOxide Semicoductor Field Effect Tran-sistor),它是由金屬、氧化物(Sio2或SiN)半導體三種資料制成的,是應用電壓控制電流以完成放大作用的半導體器件。

2.功用

①場效應管可應用于放大。由于場效應管的放大器的輸入電阻很高,所以其耦合電容的容量能夠較?。翰挥眠\用電解電容。

② 場效應管能夠用做電子開關。

③場效應管的輸入阻抗很高,因而它十分合適用于阻抗變換。它常用在多級放大器的輸入級停止阻抗變換。
④場效應管能夠用做可變電阻。

⑤場效應管能夠便當地用做恒流源。


3.場效應管的分類

場效應管分為結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管(JFET)因有兩個PN結而得名,絕緣柵型場效應管則因柵極與其他電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中,應用最為普遍的是MOS場效應管,簡稱MOS管(即金屬—氧化物—半導體場效應管,MOSFET);此外還有PMOS,NMOS和UMOS功率場效應管,以及最近剛問世的,πMOS場效應管等。按溝道半導體資料的不同,結型和絕緣柵型場效應管各分為N溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分,場效應管又可分紅耗盡型與加強型。結型場效應管均為耗盡型,MOS柵型場效應管既有耗盡型的,也有加強型的。場效應晶體管可分為結型場效應晶體管和Mos場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和加強型,P溝耗盡型和加強型四大類。



4.主要參數

1)直流參數

開啟電壓UT:是指加強型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。

夾斷電壓uGS(Off,(也能夠用UP):是指加強型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。

飽和漏極電流IDss:指耗盡型絕緣柵場效應管在UGS=o時的漏極電流。

輸入電阻RDS(DC):因iG=0,所以輸入電阻很大。JPET的輸入電阻大于107Ω,MOSFET的輸入電阻大于1012Ω。

2)交流參數  低頻跨導(互導)gm:反映了柵源電壓對漏極電流的控制才能,且與工作點有關,是轉移特性曲線上過Q點切線的斜率。

3)極限參數  最大漏—源電壓U(BR)DS:漏極左近發作雪崩擊穿時的UDs(漏源電壓)。  最大柵—源電壓U(BR)CS:柵極與源極間PN結的反向擊穿電壓。  最大耗散功率PDM:與晶體管的PcM類似,當功率超越PDM時,場效應管可能燒壞。


場效應管的命名辦法

第一種命名辦法:與雙極型晶體管相同,其中第三位字母為J代表結型場效應管,為0代表絕緣柵場效應管;

第二位字母代表資料,其中D是P型硅,其反型層是N溝道,C是N型硅,其反型層是P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應品體管,3D06C是絕緣柵型N溝道場效應晶體管。第二種命名辦法:CS X x#,其中CS代表場效應管,xx是以數字代表型號的序號,#是用字母代表同一型號中的不同規格,如CS14A、CS45G等。


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