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功率MOS管參數-Vdss的溫度特性分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-09-15 

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功率MOS管參數-Vdss溫度特性分析

由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。 為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加,即呈現正溫度系數呢?

MOS管功率參數

這是半導體硅材料的特性所決定的!MOS管是單子導電機理!載流子只有電子,溫度升高,溝道電阻增加,電子遷移減少,電流變??!故耐壓會增加!MOS管是單子導電機理!載流子只有電子,溝道夾斷,電子無法通過溝道導通,單外延層中低參雜PN結中的電子遷移很小,溫度升高,這種飄移電流變??!故其反向截止的損耗減小,雪崩能量增加,耐壓也增加!當然在這里要做一下分類,其實半導體材料在溫度升高時,其內能是增加的,即電子的活性是增加的,單就PN結在反向截止是存在一個耗盡區,這個耗盡區的寬度和載流子的活性決定了耐壓!這個耐壓和參雜程度,PN界面形狀,界面面積都有關!所以不同的參雜程度,不同的界面形狀,界面面積就可以造就不同耐壓,不同電流,不同性能的器件,如二極管,穩壓管,包括MOS管,僅就MOS管,其不同的界面形狀就造就了平面管,溝槽管,超深工藝的超極管!功率MOS管參數


為什么二極管的反向耐壓是隨溫度變高而降低了,MOSFET-Vdss耐壓是溫度升高而增加呢?


兩種器件的導電機理是不一樣的!二極管是雙子導電,是空穴和電子同時遷移產生電流!二極管的反向漏電流是隨溫度上升而增加的!故溫度越高反向漏電流越大,損耗迅速增加最后雪崩擊穿!MOS管是單子導電機理!載流子只有電子,溫度升高,溝道電阻增加,電子遷移減少,電流變??!故耐壓會增加!故雙極型器件(雙子載流)的反向漏電流要比MOS型器件大!