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MOS晶體管種類 mos管種類名稱詳解!

信息來源:本站 日期:2017-05-31 

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MOS晶體管種類.

按溝道區中載流子類型分
N溝MOS晶體管:襯底為P型,源漏為重摻雜的N+,溝道中載流子為電子
P溝MOS晶體管:襯底為N型,源漏為重摻雜的P+,溝道中載流子為空穴

在正常青況下,只需一種類型的載流子在工作,因此也稱其為單極晶體管。


按工作方式分增強型晶體管:若在零柵壓下不存在漏源導電溝道,為了構成導電溝道,需求施加一定的柵壓,也就是說溝道要經過、"增強"才干導通
耗盡型晶體管:器件本身在漏源之間就存在導電溝道,即使在零柵壓下器,件也是導通的e 若要使器件截止,就必需施加柵壓使溝道耗盡型。

假定、漏端電壓Vds為正,當柵上施加一個小于開啟電壓的正柵壓時,柵氧下面的P型表面區的空穴被耗盡,在硅表面構成一層負電荷,這些電荷被稱為耗盡層電荷Qb。這時的漏源電流為透露電流。假定Vgs>Vth,在哩硅表面構成可移動的負電蒲Qi層,即導電溝道。由于表面為N型的導電溝道與哩襯底的導電類型相反,因此該表面導電溝道被稱 為反型層。


在Vgs=Vth時,表面的少數載流子濃度(電子)等于休內的多數載流子(空穴)的濃度。柵壓越高,表面少數載流子的電荷密度Qi越高。(可動電荷Qi也可稱為反型電荷)此時,假定漏源之間存在電勢差,由于載流子(NMOS中為電子)的擴散,會構成電流Ids。這時PN結的透露電流仍然存在,但它與 溝道電流相比非常小,普通可以忽略。由于反型電荷Qi猛烈地依賴與柵壓,因此可以應用柵壓控制溝道電流。

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