<acronym id="c2ms0"><center id="c2ms0"></center></acronym>
<sup id="c2ms0"></sup>
<acronym id="c2ms0"></acronym>
<acronym id="c2ms0"><center id="c2ms0"></center></acronym><sup id="c2ms0"></sup>
<acronym id="c2ms0"><center id="c2ms0"></center></acronym><acronym id="c2ms0"><small id="c2ms0"></small></acronym>
<acronym id="c2ms0"><div id="c2ms0"></div></acronym>
廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

集射極間電壓

信息來源:本站 日期:2017-05-15 

分享到:


射極開路的時分,集射極間能夠承受的最大電壓 。它是器件的最小額定電壓。假設基射極間的電阻很小  ( 50 lOO!l) ,那么在關斷狀態下晶體管能夠承受一個更高的電壓。



大功率晶體管 ( 集電極無緩沖器) 關斷時,典型的集電極電流F降和集射極間電壓上升過程  2N6836 C 15A、850V ) 的MOS開關電路時間 晶體管能夠安全承受的最高電壓。這是在關斷的瞬間呈現漏感尖峰時 ,晶體管能夠承受的最大電壓 。只需在關斷期間,基極存在一個一I5V的反向尖峰電壓時,晶體管才干承受這個電壓。反向偏置的基極電壓或電壓尖峰必需由基極驅動電路提供 ,其持續時間必需大于漏感尖峰的持續時間 。


反向偏置安全工作區域。在關斷期間,le-Vee曲線不能越過給出的邊境。就算是一次越界也可能損壞晶體管,由于電流會集中在芯片的某個小部分 ,招致局部過熱  。若在關斷瞬 間加上]~5V的反偏電壓,可工作在邊境以內。若關斷時 Vbe=O ,則晶體管只能工作在區域內 .能同時滿足高、低盧值的晶體管工作懇求的設計方案產品的盧值的離散性很大,可能相差4倍之多。假設基極電流可以較好的驅動盧值低的晶體管,那么它將對F值高的晶體管構成很強的過驅動 ,招致過長的儲存時間 。假設要縮短過 長的儲存時間 ,需求的反向基極電流就會相當大 。


聯系方式:鄒先生

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

長按二維碼識別關注