<var id="d3hfx"></var><var id="d3hfx"></var>
<var id="d3hfx"></var>
<var id="d3hfx"></var>
<var id="d3hfx"></var>
<cite id="d3hfx"></cite>
<var id="d3hfx"><strike id="d3hfx"><listing id="d3hfx"></listing></strike></var>
<var id="d3hfx"></var>
<cite id="d3hfx"><video id="d3hfx"><menuitem id="d3hfx"></menuitem></video></cite><var id="d3hfx"></var>
<menuitem id="d3hfx"><strike id="d3hfx"></strike></menuitem><var id="d3hfx"></var>
廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

MOS管小電流發熱原因及如何解決發熱問題分析-MOS管損毀原因總結-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-09-27 

分享到:

MOS管小電流發熱原因及如何解決發熱問題分析-MOS管損毀原因總結

什么是MOS管

MOS管小電流是什么?MOS管小電流發熱等問題解析。MOS管全稱金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管,英文名metal oxide semiconductor,屬于場效應管中的絕緣柵型,因此,MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應管。


MOS管構造


MOS管,MOS管小電流


MOS管這個器件有兩個電極,分別是漏極D和源極S,無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上,用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+/P+區,并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極,作為柵極G。這就構成了一個N/P溝道(NPN型)增強型MOS管。


MOS管小電流發熱問題分析

mos管,做電源設計,或者做驅動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅動的使用,當然就是用它的開關作用。


無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,因此在開關應用中,MOS管的開關速度應該比三極管快。其主要原理如圖:


MOS管,MOS管小電流


在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路,如圖2漏極原封不動地接負載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。


MOS管,MOS管小電流

NMOS管的開路漏極電路


在開關電源應用方面,這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如,DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執行開關功能,這些開關交替在電感里存儲能量,然后把能量釋放給負載。我們常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率,因為頻率越高,磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,MOS管只相當于一個導體。因此,我們電路或者電源設計人員最關心的是MOS的最小傳導損耗。


我們經??碝OS管的PDF參數,MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗,對開關應用來說,RDS(ON)也是最重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關,但對于充分的柵極驅動,RDS(ON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外,慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數,其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。


MOS管小電流發熱的原因

MOS管小電流發熱原因總結如下:


1、電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。


2、頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。


3、沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。


4、MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。


MOS管小電流發熱如何解決

1、做好MOS管的散熱設計,添加足夠多的輔助散熱片。


2、貼散熱膠。


MOS管損毀原因總結

1、在電源電壓方面

1)、過流-------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀;

2)、過壓-------源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿;

3)、靜電-------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電;


2、在MOS管電源電壓方面

1)、漏源電壓過大,MOS管燒壞?,F象:MOS管D、S兩端短路;

2)、漏源電流過大,MOS管燒壞?,F象:MOS管D、S兩端短路;

3)、柵源電壓過大,MOS管燒壞?,F象:MOS管G、D、S短路;


3、其他方面

1)、堵轉會使電機感應電動勢升高,使電機電流大增過流保護太遲鈍;

2)、同時導通;

3)、功率過大;

4)、散熱不足;

5)、頻率太高;

6)、MOS管內阻未充分考慮,導致開關阻抗增大;


4、會對MOS管造成的影響

1)、MOS管吸附灰塵,改變線路間的阻抗,影響MOS管的功能和壽命。

2)、因電場或電流破壞元件絕緣層和導體,使MOS管不能工作(完全破壞)。

3)、因瞬間的電場軟擊穿或電流產生過熱,使MOS管受傷,雖仍能工作,但是壽命受損。


聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助