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P型MOS管 N型MOS管型號選型手冊-MOS管原廠制造 免費送樣-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-24 

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P型MOS管

P型MOS管概述

P型MOS管是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區,分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,柵極上加有足夠的負電壓(源極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。


P型MOS管的種類

MOSFET共有三個腳,一般為G、D、S,通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像,所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說,NMOS是在P型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成N型的摻雜區,作為NMOS的源漏區;PMOS是在N型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成P型的摻雜區,作為PMOS的源漏區。兩塊源漏摻雜區之間的距離稱為溝道長度L,而垂直于溝道長度的有效源漏區尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構,器件源漏是完全對稱的,只有在應用中根據源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。


P型MOS管原理

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底,其中的多數載流子是空穴,少數載流子是電子,源漏區的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時,在相對于源端為負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電流的數值越大。


與NMOS一樣,導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區,臨界飽和點和飽和區。當然,不論NMOS還是PMOS,當未形成反型溝道時,都處于截止區,其電壓條件是

VGS<VTN (NMOS),

VGS>VTP (PMOS),

值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是負值。


PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規模大的集成電路。


P型MOS管


P型MOS管型號大全


Part Number

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KPX4703A

-8

-30

0.019

0.024

1310

KIA23P10A

-23

-100

0.078

0.95

3029

KIA35P10A

-35

-100

0.042

0.055

4920

KPX8610A

-35

-100

0.042

0.055

6516

KIA3415

-4

-16

0.04

0.045

1450

KIA3423

-2

-20

0.076

0.092

512

KIA2301

-2.8

-20

0.105

0.120

415

KIA2305

-3.5

-20

0.045

0.055

1245

KIA3409

-2.6

-30

0.097

0.130

302

KIA3401

-4

-30

0.050

0.060

954

KIA3407

-4.1

-30

0.05

0.06

700

KIA9435

-5.3

-30

0.05

0.06

840

KIA7P03A

-7.5

-30

0.018

0.02

1345

KPE4703A

-8

-30

0.019

0.024

1310


P型MOS管原廠

深圳市可易亞半導體科技有限公司(簡稱KIA半導體)是一家專業從事中大功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。


P型MOS管


2005年在深圳福田,KIA半導體開啟了前行之路,注冊資金1000萬,辦公區域達1200平方,現在的KIA半導體已經擁有了獨立的研發中心,研發人員以來自韓國的超一流團隊為主體,可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案,同時引進多臺國外先進設備,業務含括功率器件的參數檢測、可靠性檢測、系統分析、失效分析等領域。強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。


P型MOS管


KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。


P型MOS管


從設計研發到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續創新,永不止步!


增強P型MOS管開關條件

pmos管作為開關使用時,是由Vgs的電壓值來控制S(source源極)和 D(drain漏極)間的通斷。

Vgs的最小閥值電壓為:0.4v,也就是說當 S(source源極)電壓 — G(gate柵極)極    > 0.4V 時, 源極 和 漏極導通。


并且Vs = Vd ,S極電壓等于D極電壓。

例如:S極 為 3.3V,G極 為0.1V,則  Vgs = Vg  —  Vs = -3.2 pmos管導通,D極電壓為3.3V,一般pmos管當做開關使用的時,S極和D極之間幾乎沒有壓降。


在實際使用中,一般G極接MCU控制管腳,S極接電源正極VCC,D極接器件的輸入。實際使用中的一個樣例如下:


P型MOS管


RF_CTRL為低電平的時候,RF_RXD 和 RF_TXD上的電壓為 VDD。


下面電路為P溝道MOS管用作電路切換開關使用電路:


P型MOS管


電路分析如下:

pmos的開啟條件是VGS電壓為負壓,并且電壓的絕對值大于最低開啟電壓,一般小功率的PMOS管的最小開啟電壓為0.7V左右,假設電池充滿電,電壓為4.2V,VGS=-4.2V,PMOS是導通的,電路是沒有問題的。當5V電壓時,G極的電壓為5V,S極的電壓為5VV-二極管壓降(0.5左右)=4.5V,PMOS管關段,當沒有5V電壓時,G極電壓下拉為0V,S極的電壓為電池電壓(假設電池充滿電4.2V)-MOS管未導通二極管壓降(0.5V)=3.7,這樣PMOS就導通,二極管壓降就沒有了這樣VGS=-4.2V.PMOS管導通對負載供電。


在這里用一個肖特基二極管(SS12)也可以解決這個問題,不過就是有0.3V左右的電壓降。這里使用PMOS管,PMOS管完全導通,內阻比較小,優與肖特基,幾乎沒有壓降。不過下拉電阻使用的有點大,驅動PMOS不需要電流的,只要電壓達到就可以了,可以使用大電阻,減少工作電流,推薦使用10K-100K左右的電阻。


聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

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