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開關電源mos管型號表大全-5種常用開關電源MOSFET驅動電路-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-18 

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開關電源mos管型號

開關電源概述

開關模式電源(Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關變換器,是一種高頻化電能轉換裝置,是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓,透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的設備,例如個人電腦,而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉換。


開關電源mos管型號


開關電源mos管型號原廠

開關電源mos管型號供應商概述,深圳市可易亞半導體科技有限公司(簡稱KIA半導體).是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。


開關電源mos管型號


KIA半導體,已經擁有了獨立的研發中心,研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案,同時引進多臺國外先進設備,業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統分析、失效分析等領域。


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強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。


開關電源mos管型號


KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。


開關電源mos管型號


開關電源mos管型號表大全

以下是KIA半導體開關電源mos管型號表大全:


Part Number

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

Package

pF

KNX4360A

4

600

1.9

2.3

511

TO-252、220F、262

KNX4365A

4

650

2

2.5

523

TO-252、TO-220F

KIA4750S

9

500

0.7

0.9

960

TO-252

KNX6165A

10

650

0.6

0.9

1554

TO-220F

KNX4665B

7

650

1.1

1.4

1048

TO-252

KNX4665A

7.5

650

1.1

1.4

970

TO-220F

KIA12N60H

12

600

0.53

0.65

1850

TO-220、220F

KNX4660A

7

600

1

1.25

1120

TO-220F、262、263、220

KNX6650A

15

500

0.33

0.45

2148

TO-220F

KIA18N50H

18

500

0.25

0.32

2500

TO-220F、3P、247

KIA20N50H

20

500

0.21

0.26

2700

TO-220F、3P、247

KNX7650A

25

500

0.17

0.21

4280

TO-220F


5種常用開關電源MOSFET驅動電路解析

在使用MOSFET設計開關電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的開關性能。


當電源IC與MOS管選定之后, 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。


一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求:

(1)開關管開通瞬時,驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。


(2)開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。


(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開關管能快速關斷。


(4)驅動電路結構簡單可靠、損耗小。


(5)根據情況施加隔離。


(一)電源IC直接驅動MOSFET

開關電源mos管型號

圖1 IC直接驅動MOSFET


電源IC直接驅動是我們最常用的驅動方式,同時也是最簡單的驅動方式,使用這種驅動方式,應該注意幾個參數以及這些參數的影響。第一,查看一下電源IC手冊,其最大驅動峰值電流,因為不同芯片,驅動能力很多時候是不一樣的。第二,了解一下MOSFET的寄生電容,如圖 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大,MOS管導通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒有比較大的驅動峰值電流,那么管子導通的速度就比較慢。如果驅動能力不足,上升沿可能出現高頻振蕩,即使把圖 1中Rg減小,也不能解決問題! IC驅動能力、MOS寄生電容大小、MOS管開關速度等因素,都影響驅動電阻阻值的選擇,所以Rg并不能無限減小。


(二)電源IC驅動能力不足時

如果選擇MOS管寄生電容比較大,電源IC內部的驅動能力又不足時,需要在驅動電路上增強驅動能力,常使用圖騰柱電路增加電源IC驅動能力,其電路如下圖虛線框所示。


開關電源mos管型號

圖2 圖騰柱驅動MOS



這種驅動電路作用在于,提升電流提供能力,迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間,但是減少了關斷時間,開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。


(三)驅動電路加速MOS管關斷時間

開關電源mos管型號

圖3 加速MOS關斷


關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關管能快速關斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅動電阻上并聯一個電阻和一個二極管,如圖2所示,其中D1常用的是快恢復二極管。這使關斷時間減小,同時減小關斷時的損耗。Rg2是防止關斷的時電流過大,把電源IC給燒掉。


開關電源mos管型號

圖4 改進型加速MOS關斷


在第二點介紹的圖騰柱電路也有加快關斷作用。當電源IC的驅動能力足夠時,對圖 2中電路改進可以加速MOS管關斷時間,得到如圖 4所示電路。用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發射極沒有電阻,當PNP三極管導通時,柵源極間電容短接,達到最短時間內把電荷放完,最大限度減小關斷時的交叉損耗。與圖 3拓撲相比較,還有一個好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經過電源IC,提高了可靠性。


(四)驅動電路加速MOS管關斷時間


開關電源mos管型號

圖5 隔離驅動


為了滿足如圖所示高端MOS管的驅動,經常會采用變壓器驅動,有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。


(五)當源極輸出為高電壓時的驅動

當源極輸出為高電壓的情況時,我們需要采用偏置電路達到電路工作的目的,既我們以源極為參考點,搭建偏置電路,驅動電壓在兩個電壓之間波動,驅動電壓偏差由低電壓提供,如下圖


開關電源mos管型號

圖6 源極輸出為高電壓時的驅動電路


除了以上驅動電路之外,還有很多其它形式的驅動電路。對于各種各樣的驅動電路并沒有一種驅動電路是最好的,只有結合具體應用,選擇最合適的驅動。


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