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MOS管KIA50N06替代NCE6050規格書資料 產品優質 全新原裝-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-15 

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MOS管KIA50N06替代NCE6050

MOS管KIA50N06替代NCE6050參數

KIA50N06產品描述

MOS管KIA50N06替代NCE6050,文中將會具體的描述KIA50N06和NCE6050兩個產品參數、封裝、附加規格書等。KIA50n06是三端器件與約50A電流傳導能力,快速開關速度。低通態電阻,60V額定擊穿電壓,最大閾值4伏電壓。它主要適用于電子鎮流器和低功率開關。


KIA50N06產品特征

RDS(ON)=18mΩ@VGS=10v。

超低柵極電荷(典型的30nc)

低反向轉移電容

快速切換的能力

100%雪崩能量

改進的dt/dt能力


KIA50N06產品參數

漏極至源極電壓:60

柵源電壓:±20

漏極電流 (連續):50

單脈沖雪崩能量:480

耗散功率:130

工作溫度:-55~+150

輸入電容:VDS =25V,VGS=0V,f=1MHz

擊穿電壓溫度:0.7

上升時間:VDD=30V,ID=25A,RG=50Ω(note4,5)


KIA50N06封裝圖

MOS管KIA50N06替代NCE6050



MOS管KIA50N06規格書詳情

查看規格書請點擊下圖。


MOS管KIA50N06替代NCE6050


NCE6050主要參數

漏源電壓:60V

柵源電壓:±20V

漏電流連續:50A

脈沖漏電流:220A

最大功耗:80W

輸入電容:900PF

輸出電容:104PF

封裝:TO-252、TO-251、TO-220


NCE6050規格書

查看規格書請點擊下圖。


MOS管KIA50N06替代NCE6050



聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

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聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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