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mos管工作原理,詳解mos管工作原理文章

信息來源:本站 日期:2017-04-24 

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簡介:
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。分別為電流控制器件和電壓控制器件。FET的增益等于它的跨導(transconductance)gm, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。



mos管工作原理


mos管工作原理:




mos管的工作原理(以N溝道增強型mos場效應管)它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少,以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況,然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現大量正離子,故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質的N區接通,形成了導電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時,溝道內被感應的電荷量也改變,導電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

mos管開關:


mos管最顯著的特性是開關特性好,所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中,常見的如開關電源和馬達驅動,也有照明調光?,F在的MOS驅動,有幾個特別的需求,低壓應用當使用5V電源,這時候如果使用傳統的圖騰柱結構,由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候,我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。 同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

mos管失效:


mos管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。


目前在市場應用方面,排名第一的是消費類電子電源適配器產品。而mos管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產品,隨著國情的發展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯示器對mos管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現象了。

第三的就屬網絡通信、工業控制、汽車電子以及電力設備領域了,這些產品對于mos管的需求也是很大的,特別是現在汽車電子對于mos管的需求直追消費類電子了。

詳解mos管原理及幾種常見失效分析

1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過mosFET的額定電壓,并且超過達到了一定的能力從而導致mosFET失效。

2:SOA失效(電流失效),既超出mosFET安全工作區引起失效,分為Id超出器件規格失效以及Id過大,損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。

3:體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中,由于體二極管遭受破壞而導致的失效。
4:諧振失效:在并聯使用的過程中,柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。

5:靜電失效:在秋冬季節,由于人體及設備靜電而導致的器件失效。


6:柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導致柵極柵氧層失效。


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